Uma equipe de cientistas da Universidade Rutgers, nos Estados Unidos, descobriu um material cujas propriedades magnéticas podem ser inteiramente controladas por um campo elétrico externo.
Se este efeito magnetoelétrico puder ser estendido para temperaturas mais próximas à temperatura ambiente, ele poderá ser permitir a manipulação de bits magnéticos minúsculos, viabilizando o armazenamento de dados de ultra-alta densidade.
A substituição dos componentes magnéticos por componentes elétricos pode potencialmente abrir caminho para o armazenamento de dados com uma densidade muito superior à dos discos atuais, que estão na casa dos terabytes.
Ao contrário dos dispositivos atuais, que funcionam com base na magnetorresistência gigante, que exigem campos magnéticos para manipular a resistência elétrica, os dispositivos magnetoelétricos poderiam ser controlados com cabeças de leitura e escrita menores e mais simples.
Magnetoeletricidade
Os pesquisadores descobriram o efeito ao estudar as propriedades magnéticas de um mineral chamado manganita, que é composto de magnésio, oxigênio, európio e ítrio.
A temperaturas criogênicas - entre 7 e 20 graus acima do zero absoluto - e sob campos magnéticos muito fortes, uma ligeira mudança no campo elétrico aplicado ao material provoca uma enorme mudança em suas propriedades magnéticas.
O efeito magnetoelétrico tem o potencial para levar a avanços tecnológicos comparáveis ao surgimento dos atuais discos rígidos, que se tornaram possíveis com a descoberta da magnetorresistência gigante, que valeu o Prêmio Nobel de Física de 2007 aos fundadores da spintrônica.
A descoberta do efeito magnetoelétrico é um avanço animador rumo à já teorizada magnetoeletricidade colossal. Contudo, para que suas promessas se tornem realidade, os cientistas precisarão antes demonstrar seu funcionamento sob temperaturas muito mais altas.
Bibliografia:
Cross-Control of Magnetization and Polarization by Electric and Magnetic Fields with Competing Multiferroic and Weak-Ferromagnetic Phases
Y. J. Choi, C. L. Zhang, N. Lee, S-W. Cheong
Physical Review Letters
Vol.: 105, 097201 (2010)
DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.097201
http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=magnetoeletricidade&id=010110100928&ebol=sim
